试管婴儿如今已成为很多不孕不育夫妻的最后救命稻草，但如果再经历反复种植失败，势必会让他们承受着更大的压力，与好孕渐行渐远。因此，找到反复种植失败的原因，一直是生殖领域的难点和热点。今天艾贝贝高龄备孕中心专家就为大家深度解析反复种植失败的遗传学因素，感兴趣的朋友请往下看。
什么是反复种植失败？
反复种植失败（repeated implantation failure，RIF）目前尚无统一定义，但目前公认的是指<40岁的女性，重复IVF治疗超过3个移植周期，或累计移植≥4枚高评分胚胎或2枚囊胚，但未获得妊娠。
在IVF治疗中的RIF的发生率可达5%~10%，是影响IVF结局的重要因素之一。作为一种不良生殖结局，RIF存在复杂而模糊的病因机制，其中遗传学问题是需要考虑的因素。
关于反复种植失败的遗传学因素
一般来说，反复种植失败的遗传学因素可分为：胚胎的遗传因素和母体的遗传因素。
01 胚胎的遗传因素
RIF常被作为复发性流产的前序事件来描述，推测约50%以上的可能性为胚胎的非整倍体。通常，胚胎遗传学遗传学异常的来源有以下三个：
1、亲代来源
亲代携带染色体异常：正常人群中的染色体结构异常（如相互易位、罗氏易位、倒位等）携带率仅为2%，而RIF夫妇染色体结构异常携带率则明显高于正常人群。
母源因素：非整倍体胚胎主要系卵子减数分裂异常所致，其中女方的年龄、卵巢储备功能是导致卵子减数分裂异常的重要因素。
父源因素：在接受ICSI周期的不孕夫妇中，精子非整倍体水平分别与妊娠率或流产风险呈负相关或直接相关。严重少精症患者精子的胚胎性染色体非整倍体率都远高于常规IVF和正常敬业ICSI（约为3倍），但精子DNA碎片与胚胎非整倍体率、RIF无显著相关性。
2、胚胎自身因素
胚胎早期发育有丝分裂中染色体组合异常均会导致胚胎发育不良而致着床失败或流产，是RIF的主要原因之一。如滋养层与内细胞团一致性较低，考虑为胚胎发育早期的有丝分裂错误引起。
3、外源因素
包括医源性因素如COH方案、Gn剂量、扳机时机，环境因素如各种射线辐射、化学品暴露增加及多种混合因素影响精子、卵子的染色体非整倍体率的升高。
02 母体的遗传因素
RIF的研究中对母体子宫内膜的因素非常重视，其中许多与血栓形成倾向、内膜局部免疫学改变、自身免疫性疾病等有关的因素，实际上仍然是遗传学问题。包括V 因子Leiden 基因突变，亚甲基四氢叶酸还原酶 （MTHFR） 基因变异，凝血酶原基因突变，抗凝血酶基因突变，蛋白C和蛋白S 缺陷，以及NK免疫球蛋白样受体基因多态性与HLA-C基因型变异，成为RIF的潜在原因。
综上，RIF 是病因多样、发病机制复杂、治疗手段有限的临床难治之症，亟需开展以免疫和遗传为背景的病因学研究，探索临床有价值的检测指标；同时需要大样本量的前瞻性临床试验结果，用于建立规范的检查和治疗流程，评估RIF患者，结合新技术和新手段，制定个体化的治疗方案，提高女性生殖健康水平。
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